Transphorm, Inc. (TGAN) Income Statement Analysis – Financial Results

Transphorm, Inc. (TGAN) came out with a quarterly loss of $0.13 per share in line with the Zacks Consensus Estimate. This compares to loss of $0.08 per share a year ago.

GOLETA, Calif.--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (NASDAQ: TGAN)—a global leader in GaN, the future of next generation power systems, announced today financial results for the fiscal fourth quarter and year ended March 31, 2023. Fiscal 2023 and Fourth Quarter and Recent Highlights...

GOLETA, Calif.--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (NASDAQ: TGAN) (“Transphorm” or the “Company”) announced today that the independent Financing Committee of the Company's board of directors has approved a rights offering available to all holders of record of the Company's common stock, par...

Transphorm FETs Deliver Up to 99% Efficiency Using Simple Half-Bridge Gate Driver, Validating Cost-Effective Design Option for a Wide Power Range Exceeding One Kilowatt GOLETA, Calif.–(BUSINESS WIRE)–$TGAN #5G—Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)—a global leader in GaN, the future of next generation...

GOLETA, Calif.--(BUSINESS WIRE)---- $TGAN #5G--Transphorm defines alternative driver solution for SuperGaN FETs that can help lower power applications achieve even greater system cost reductions.

GOLETA, Calif.--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (NASDAQ: TGAN)—a global leader in GaN, the future of next generation power systems—announced that Primit Parikh, Ph.D., CEO, President and Co-Founder will participate in the live panel discussion, GaN & SiC – A Discussion on Next...

カリフォルニア州ゴレタ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 根本的に優れ、定量的に他をしのぐGaNパワー半導体のグローバルリーダーであるトランスフォーム（Nasdaq：TGAN）は、国家安全保障技術加速組織（the National Security Technology Accelerator／NSTXL）と最大1,500万ドルの契約を締結したと発表しました。ECLIPSEプロジェクトに関する契約で、トランスフォームに最先端GaNエピウェハーの製造を命じています。当プロジェクトに貢献する今回の機会は、最先端GaN素材分野および同社MOCVD製造インフラストラクチャーにおける同社のIP、知識、専門技術を強調するものです。 GaNエピウェハーの設計、開発とさまざまな革新的高電圧GaNプラットフォームの生産においてトランスフォームが有する経験は10年超に及びます。これらのイニシアチブによって、この半導体パイオニアのパワーおよび高周波（RF）GaNビジネスにとってのバーチカルが複数形成されています。 「間違いなく、最先端GaN素材の価値と可能性は幅広いアプリケーションにおいて明らかです。当社は、電力変換とRFアプリケーションに適した、記録的なパフォーマンスと効率の優位性を生み出す高出力密度プラットフォームを複数開発しました」とトランスフォーム最高技術責任者（CTO）で共同創業者のUmesh Mishraは述べています。「当社はデバイスおよび製造の能力と合わせて強力な中核をなすエピ素材の万能性があるので、この種のイノベーションでは秀でています。当社は、素材、設計、プロセスといったGaN技術の側面をすべて進化、改良しようと取り組んできました。現在は、ECLIPSEプログラムを強力に実行し、当社の最先端GaNエピウェハー供給能力が高まることを期待しています」 本契約の提案プロセスは、国家安全保障技術加速組織（NSTXL）がOTA（Other Transaction Agreement／その他の取引契約）として行いました。 トランスフォームについて トランスフォームは、GaN革命のグローバルリーダーであり、高電圧電力変換アプリケーション向けの高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。トランスフォームは、1,000件超の特許を保有する最大級のPower GaN IPポートフォリオを有し、業界初のJEDECおよびAEC-Q101認定高電圧GaN半導体デバイスを製造しています。同社の垂直統合型デバイスビジネスモデルは、設計、製造、デバイス、アプリケーションサポートなど、あらゆる開発段階でのイノベーションを可能にしています。同社のイノベーションは、シリコンの限界を超えて電力エレクトロニクスを進化させ、99%を上回る効率、50%超の出力密度、20%のシステムコスト削減を実現しています。トランスフォームは、カリフォルニア州ゴレタに本社を置き、ゴレタと会津に製造拠点を持っています。詳細については、www.transphormusa.comをご覧ください。また、Twitter（@transphormusa）とWeChat（@ Transphorm_GaN）をフォローしてください。 本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。

加州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)是一家全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体公司，在核心技术和产量上均领先业界。公司今天宣布，已获得一份来自National Security Technology Accelerator (NSTXL)的合同，价值高达1500万美元。该合同的内容与ECLIPSE项目有关，根据该合同，NSTXL将委托Transphorm生产先进的氮化镓外延片。公司能够有机会为该项目做出贡献，彰显出Transphorm在先进氮化镓材料领域的知识产权、知识和专长，以及其MOCVD制造基础设施的优势。 Transphorm在氮化镓外延片的设计、开发以及各种突破性高压氮化镓平台的生产方面拥有超过十年的经验。作为一家半导体先驱企业，上述专长让Transphorm进入了功率和射频氮化镓业务的多个垂直领域。 Transphorm首席技术官兼联合创始人Umesh Mishra表示：“众所周知，先进氮化镓材料应用广泛，拥有显著的价值和发展潜力。我们已经开发了多个高功率密度平台，实现了创纪录的性能和效率优势，我们的产品非常适合功率转换和射频应用。这种类型的创新正是Transphorm的优势所在，因为我们能够生产适合各种应用的优质核心外延材料，并拥有先进的设备和制造能力。我们一直致力于发展和改进氮化镓技术的各个方面，包括材料、设计和工艺等等。我们期待ECLIPSE项目能够顺利开展，以增强我们提供先进氮化镓外延片的能力。” 该合同的投标流程由National Security Technology Accelerator (NSTXL)以“其他交易协议”(OTA)的方式进行管理。 关于 Transphorm Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计和制造用于高压功率转换应用的高性能、高可靠性氮化镓半导体。Transphorm拥有庞大的功率氮化镓知识产权组合，持有或取得授权的专利超过1000项，生产了业界首款符合JEDEC和AEC-Q101标准的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的器件业务模式，公司能够在包括设计、制造、器件和应用支持在内的每个开发阶段进行创新。Transphorm的创新使功率电子产品超越了硅的限制，实现了99%以上的效率，将功率密度提高50%，并使系统成本降低20%。Transphorm总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息，请访问www.transphormusa.com。欢迎在Twitter @transphormusa以及微信@Transphorm_GaN关注我们。 免责声明：本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用，烦请参照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。

加州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)是一家全球領先的氮化鎵(GaN)功率半導體公司，在核心技術和產量上均領先業界。公司今天宣布，已獲得一份來自National Security Technology Accelerator (NSTXL)的合約，價值高達1500萬美元。該合約的內容與ECLIPSE專案有關，根據該合約，NSTXL將委託Transphorm生產先進的氮化鎵磊晶片。公司能夠有機會為該專案做出貢獻，彰顯出Transphorm在先進氮化鎵材料領域的智慧財產權、知識和專長，以及其MOCVD製造基礎建設的優勢。 Transphorm在氮化鎵磊晶片的設計、開發以及各種突破性高壓氮化鎵平臺的生產方面擁有超過十年的經驗。作為一家半導體先驅企業，上述專長讓Transphorm進入了功率和射頻氮化鎵業務的多個垂直領域。 Transphorm共同創辦人兼技術長Umesh Mishra表示：「眾所周知，先進氮化鎵材料應用廣泛，擁有顯著的價值和發展潛力。我們已經開發了多個高功率密度平臺，實現了創紀錄的效能和效率優勢，我們的產品非常適合功率轉換和射頻應用。這種類型的創新正是Transphorm的優勢所在，因為我們能夠生產適合各種應用的優質核心磊晶材料，並擁有先進的設備和製造能力。我們一直致力於發展和改進氮化鎵技術的各個方面，包括材料、設計和製程等等。我們期待ECLIPSE專案能夠順利推展，以增強我們提供先進氮化鎵磊晶片的能力。」 該合約的投標流程由National Security Technology Accelerator (NSTXL)以「其他交易協議」(OTA)的方式進行管理。 關於 Transphorm Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計和製造用於高壓功率轉換應用的高效能、高可靠性氮化鎵半導體。Transphorm擁有龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合，持有或取得授權的專利超過1000項，生產了業界首款符合JEDEC和AEC-Q101標準的高壓氮化鎵半導體元件。歸功於垂直整合的元件商業模式，公司能夠在包括設計、製造、元件和應用支援在內的每個開發階段進行創新。Transphorm的創新使功率電子產品超越了矽的限制，實現了99%以上的效率，將功率密度提高50%，並使系統成本降低20%。Transphorm總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪www.transphormusa.com。歡迎在Twitter @transphormusa以及微信@Transphorm_GaN關注我們。 免責聲明：本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用，煩請參照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。

GOLETA, Kalifornien, USA--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) – der weltweite Marktführer im Bereich überlegener, quantitativ überragender GaN-Leistungshalbleitern – teilte heute mit, dass das Unternehmen vom National Security Technology Accelerator (NSTXL) einen Auftrag in Höhe von bis zu 15 Millionen US-Dollar...