Transphorm, Inc. (TGAN) Income Statement Analysis – Financial Results

GOLETA, Calif.--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)—global leader in fundamentally superior, quantitatively outperforming GaN power semiconductors—today announced it has been awarded a contract for up to $15 million from the National Security Technology Accelerator (NSTXL). The contract is for the ECLIPSE...

GOLETA, Calif.--(BUSINESS WIRE)---- $TGAN #5G--Transphorm wins $15 Million contract for NSTXL's ECLIPSE Project. GaN pioneer is commissioned to manufacture advanced GaN epiwafers.

GOLETA, Calif.--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)—global leader in fundamentally superior, quantitatively outperforming GaN power semiconductors—today announced it has been awarded a contract for up to $15 million from the National Security Technology Accelerator (NSTXL). The contract is for the ECLIPSE...

GOLETA, Calif.--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (NASDAQ: TGAN)—a pioneer in and global supplier of high-reliability, high-performance gallium nitride (GaN) power conversion products, announced that its Board of Directors has appointed Dr. Primit Parikh as President and Chief Executive Officer of the Company...

GOLETA, Calif.--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (NASDAQ: TGAN)—a pioneer in and global supplier of high-reliability, high-performance gallium nitride (GaN) power conversion products, announced that its Board of Directors has appointed Dr. Primit Parikh as President and Chief Executive Officer of the Company...

加州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)是提供卓越的高效能氮化镓(GaN)功率半导体产品的全球领军企业。公司今天宣布推出其1200伏场效应晶体管仿真模型及初步数据表。TP120H070WS场效应晶体管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体，开创了同类产品的先河。它的发布表明Transphorm有能力支持未来的汽车电力系统，以及已普遍用于工业、数据通信和可再生能源市场的三相电力系统。与替代技术相比，这些应用可受益于1200伏氮化镓器件更高的功率密度及更优异的可靠性、同等或更优越的性能，以及更为合理的成本。Transphorm最近验证了氮化镓器件在100kHz开关频率的5kW 900伏降压转换器中更高的性能。1200伏氮化镓器件实现了98.7%的效率，超过了具有类似额定值的量产SiC MOSFET。 创新的1200伏技术也突显了Transphorm在氮化镓功率转换方面的领先地位。垂直集成、外延所有权和专利工艺，再加上数十年的工程专业知识，使该公司能够将性能最优异的氮化镓器件组合推向市场，并且还在以下四个方面具有重大差异化优势：可制造性、可驱动性、可设计性和可靠性。 PCIM 2023的与会者可以在5月9日至11日期间在7号展厅108号展位通过Transphorm的代表了解更多关于1200伏器件的信息。 初步器件型号规格和访问情况 Transphorm的1200伏技术以经过验证的工艺和成熟的技术为基础，满足了客户在可靠性方面的要求。GaN-on-Sapphire工艺目前正在LED市场内进行批量生产。此外，1200伏技术充分利用了Transphorm当前器件组合中使用的性能优越、通常关闭的氮化镓平台。 TP120H070WS器件的主要规格包括： 70 mΩ RDS（开启） 常关 高效双向电流 ± 20 Vmax栅极鲁棒性 低4伏栅极驱动抗扰度 零QRR 3引脚TO-247封装 我们建议将Verilog-A器件型号与SIMetrix Pro v8.5电路模拟器结合使用。LTSpice型号正在开发中，将于2023年第四季度发布。仿真建模有助于实现快速高效的电力系统设计验证，同时还可减少设计迭代、开发时间和硬件投资。 器件型号文件和数据表可在此处下载：https://www.transphormusa.com/en/products/#models。 1200伏场效应晶体管样品预计会于2024年第一季度推出。 Transphorm氮化镓在汽车动力系统和充电生态系统中的应用 1200伏氮化镓器件不但是各种市场应用的理想解决方案，而且也可为汽车系统提供独特的优势。 电动汽车行业，尤其是在大型汽车的更高千瓦节点，在这个十年期的后半段正朝着800伏电池的方向发展。因此，1200伏电源转换开关将会被用于提供所需的性能水平。因此，Transphorm的1200伏平台在新一代车载充电器、DC-DC转换器、驱动逆变器和杆式充电系统方面定会大显身手。 对于使用400伏电池的当前型号的电动汽车，Transphorm提供650伏常关SuperGaN®场效应晶体管，这些晶体管符合AEC-Q101标准，可承受175°C的高温并已批量生产。 Transphorm首席技术官兼联合创始人Umesh Mishra表示：“我们是展示和兑现氮化镓潜能的领先功率半导体公司。我们的专业知识为市场带来了无与伦比的氮化镓器件，这些器件每天都在功率密度、性能和系统成本方面树立新的标准。我们的1200伏技术证明了我们工程团队的创新愿景和决心。我们正在证明，氮化镓可以很轻松地在此前由碳化硅垄断的应用市场中发挥作用，对于我们的业务和氮化镓而言，这为其在市场中的广泛采用开辟了可能性。” 关于 Transphorm Transphorm，Inc.是氮化镓革命的全球领导者，该公司设计和制造用于高压功率转换应用的高性能、高可靠性氮化镓(GaN)半导体。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓IP组合之一，具有1000多项自有或许可的专利，生产了业界首个符合JEDEC和AEC-Q101标准的高压氮化镓半导体器件。该公司的垂直集成器件商业模式有利于在设计、制造、设备和应用支持等每个开发阶段进行创新。Transphorm的创新使功率电子产品超越了硅的限制，实现了99%以上的效率，使得功率密度增加了50%，系统成本降低了20%。Transphorm总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造业务。如需了解更多信息，请访问www.transphormusa.com。请通过Twitter @transphormusa以及微信@Transphorm_GaN关注我们。 SuperGaN标志是Transphorm,...

加利福尼亞州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）是提供高可靠性、高效能氮化鎵 (GaN) 電源轉換產品的全球領軍企業。該公司今日宣布推出其1200 V FET仿真模型和初步資料表。TP120H070WS FET是目前唯一一款1200 V GaN-on-Sapphire功率半導體，開創了同類產品的先河。這一發佈表明Transphorm有能力推進未來的汽車電源系統以及已普遍用於工業、資料通訊和可再生能源市場的三相電系統。以上應用將受益於1200 V GaN裝置更高的功率密度和可靠性，以及相當於或優於替代技術的性價比。Transphorm與近日驗證了GaN裝置在100 kHz開關頻率的5 kW 900 V降壓型轉換器中的更高效能。1200 V GaN裝置實現了98.7%的效率，超過了具有相似額定值的量產SiC MOSFET。 創新的1200 V技術也凸顯了Transphorm在GaN功率轉換領域的領導地位。垂直整合、磊晶所有權和專利工藝與累積數十年的工程專業知識相結合，讓公司能夠將最高效能的GaN裝置產品組合推向市場，並呈現四大差異化因素：可製造性、可駕馭性、可設計性和可靠性。 5月9日至11日期間，PCIM 2023與會者可在7號展廳的108號展位向Transphorm代表瞭解有關1200 V裝置的更多資訊。 初步裝置模型的規格與存取 Transphorm的1200 V裝置基於久經考驗的工藝和成熟的技術，滿足客戶的可靠性需求。GaN-on-Sapphire工藝目前已在LED市場上量產。此外，1200 V裝置應用了Transphorm當前產品組合中所採用的高可靠性、高效能的常關型GaN平臺。 TP120H070WS裝置的主要規格包括： 70 mΩ RDS(on) 常關型 高效雙向電流 ± 20 Vmax柵極穩健性 低4V柵極驅動噪聲抗擾度 零反向恢復電荷（QRR）...

カリフォルニア州ゴレタ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 基本的に優れ、定量的に優れたGaNパワー半導体のグローバルリーダーであるトランスフォーム（Nasdaq：TGAN）は本日、1200 V FETシミュレーションモデルと暫定データシートの提供を発表しました。TP120H070WS FETは、これまでに登場した1200 V サファイア基板上GaNパワー半導体の中で唯一、この種のモデルとしては初となります。今回のリリースは、トランスフォームが将来の自動車用電源システム、および幅広い産業、データ通信、再生可能エネルギー市場で一般的に使用される三相電源システムをサポートする能力を持つことを示しています。これらのアプリケーションは、1200 V GaNデバイスの高い電力密度と信頼性に加えて、代替技術と比べてより妥当なコスト ポイントで同等またはそれ以上の性能を享受できます。 トランスフォームは最近、100 kHzでスイッチングする5 kW 900 VバックコンバータでGaNデバイスの高い性能を検証しました。1200V GaNデバイスは98.7%の効率を達成し、同定格の生産用SiC MOSFETを上回りました。 この革新的な 1200V 技術は、GaN 電力変換におけるトランスフォームの優位性を強調するものです。垂直統合、エピタキシーの所有権、および数十年にわたるエンジニアリングの専門知識と組み合わせた特許取得済みのプロセスにより、同社はさらに次の4つの主要な差別化要素を持つ最高性能のGaNデバイスポートフォリオを市場に提供することができます。つまり製造可能性、走行可能性、設計可能性、および信頼性です。 PCIM 2023の参加者は、5月9日から11日までの期間中、ホール7、ブース108でトランスフォームの代表者から1200Vデバイスの詳細について学ぶことができます。 デバイスモデルの暫定仕様とリリース予定 トランスフォームの1200 V技術は、実証されたプロセスと成熟した技術に基づいており、顧客の信頼要件を満たしています。サファイア基板上GaNプロセスは、LED市場で現在量産されています。さらに、1200 V技術は、トランスフォームの現在のデバイスポートフォリオで使用されている根本的に優れたノーマリーオフのGaNプラットフォームを活用しています。 TP120H070WSの主なデバイス仕様： 70 mΩのRDS(オン) 通常オフ 効率的な双方向電流フロー ±20 Vmaxのゲート強度 4Vth以下の低いゲートドライブノイズ耐性 ゼロのQRR 3ピンのTO-247パッケージ Verilog-Aデバイス...

GOLETA (Kalifornien/USA)--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) ist auf dem Gebiet der fundamental und quantitativ überlegenen GaN-Leistungshalbleiter weltweit führend. Heute gab das Unternehmen die Verfügbarkeit seines Simulationsmodells 1200-V-FET und des vorläufigen Datenblattes bekannt. Der TP120H070WS FET ist der erste seiner Art...

GOLETA, Calif.--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)—global leader in fundamentally superior, quantitatively outperforming GaN power semiconductors—today announced availability of its 1200 V FET simulation model and preliminary datasheet. The TP120H070WS FET is the only 1200 V GaN-on-Sapphire power semiconductor introduced to...