Transphorm, Inc. (TGAN) Income Statement Analysis – Financial Results

GOLETA, Calif.--(BUSINESS WIRE)---- $TGAN #1200V--Transphorm's 1200 V GaN-on-Sapphire device model will help customers explore its higher performance and 98.7% efficiency advantages vs. SiC MOSFETs.

GOLETA, Calif.--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (NASDAQ: TGAN)—a pioneer in and global supplier of high-reliability, high-performance gallium nitride (GaN) power conversion products, announced that President, Co-Founder & COO, Primit Parikh, Ph.D., and Cameron McAulay, CFO, will meet virtually with investors at the...

GOLETA, Calif.--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (NASDAQ: TGAN)—a pioneer in and global supplier of high-reliability, high-performance gallium nitride (GaN) power conversion products, announced that President, Co-Founder & COO, Primit Parikh, Ph.D., and Cameron McAulay, CFO, will meet virtually with investors at the...

加利福尼亞州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--Transphorm, Inc. (Nasdaq:TGAN)是一家提供高可靠性、高效能氮化鎵(GaN)功率轉換產品的領軍企業和全球供應商。該公司今日宣布推出六款採用產業標準PQFN 5x6和8x8封裝的表面黏著元件(SMD)。歸功於Transphorm專利SuperGaN® d-mode雙開關常閉式平臺，這些SMD具有可靠性和性能優勢，並採用為競爭產品e-mode GaN元件常用的封裝組態。因此，這六款設備可在e-mode GaN解決方案中輕鬆用作第一設計來源，或用作引腳對引腳相容的直接替換和/或第二設計來源。 對於需要SuperGaN平臺提供額外熱效能的電力系統，Transphorm還提供經最佳化的高效能封裝SMD。不論何種封裝，考慮到d-mode組態使用的是與GaN HEMT配對的低壓碳化矽(SiC) MOSFET，所有Transphorm元件均具有易於設計和驅動的特點。該平臺組態還允許使用標準的現成控制器和/或驅動器，進而提高了Transphorm系列產品的卓越驅動性與可設計性。 Transphorm業務開發兼行銷資深副總裁Philip Zuk表示：「Transphorm持續生產強大的GaN元件組合，涵蓋了當今最廣泛的功率範圍。我們透過推出這些產業標準封裝鞏固了公司的低功率策略，而這些都遵循最近宣布的與Weltrend Semiconductors共同開發的 SiP。無論是透過高效能封裝、引腳對引腳e-mode相容的產業標準封裝，抑或是系統級封裝，客戶現在可選擇如何利用SuperGaN的優勢。」 SuperGaN直接替換的優勢 經證明，採用SuperGaN d-mode FET替換e-mode FET元件能夠降低傳導損耗，提供更高的效能與更低的工作溫度，從而實現更長的使用壽命可靠性。這是由於與e-mode GaN常閉式設備相比，d-mode GaN常閉式設備從根本上具有內在優勢。最近的一次直接比較便可為此提供證明，該測試用72 mΩ SuperGaN技術替換了280 W遊戲筆記型電腦充電器中的50 mΩ e-mode設備：https://bit.ly/diraztbISP。 在充電器分析中，SuperGaN FET可在控制器的輸出電壓範圍內工作（而e-mode需要電平轉換），且溫度更低。SuperGaN的電阻溫度係數(TCR)比e-mode低約25%，有助於降低傳導損耗。此外，周邊元件數量減少了20%，表明物料成本亦更低。 產業標準的SMD系列產品 Transphorm的產業標準PQFN設備清單如下： 元件 導通電阻（毫歐） 封裝 TP65H070G4LSGB 72 PQFN88 TP65H150BG4JSG 150 PQFN56...

カリフォルニア州、ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- トランスフォーム（Nasdaq：TGAN）は、高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニアで、世界的サプライヤーです。本日、業界標準のPQFN 5x6および8x8パッケージで6個の表面実装デバイス（SMDs）の提供を開始したと発表しました。 これらのSMDsは、競合eモードGaNデバイスで通常使用されるパッケージ構成において、トランスフォームの特許取得済みSuperGaN ®プラットフォームが提供する信頼性と高性能のメリットを実現します。その結果、これらのデバイスは、最初のデザインソースまたはeモードGaNソリューションのピン互換ドロップイン置換品や、第２ソースとして簡単に使用できます。 トランスフォームは、SuperGaNプラットフォームからさらなる熱性能を必要とする電力システムの場合、最適化されたパフォーマンスパッケージでSMDSも提供しています。すべてのトランスフォーム・デバイスは、低電圧シリコンMOSFETとGaN HEMTを組み合わせたdモード構成を用いるため、パッケージに関係なく、簡単な設計力と推進力を提供します。このプラットフォーム構成により、標準の既製コントローラやドライバを使用してトランスフォームのポートフォリオの優れた設計力と推進力を高めることもできます。 「トランスフォームは、強力なGaNデバイスのポートフォリオを生産し続けており、現在、業界で最も広範なパワースペクトルをカバーしています。最近発表されたウェルトレンド・セミコンダクターと共同で開発したシステムインパッケージに続いて、業界標準パッケージのリリースにより、低消費電力戦略を固めます。お客様は、パフォーマンスパッケージ、eモードとピン互換性のある業界標準パッケージ、システムインパッケージなど、SuperGaNのメリットをどのように活用するかを選択できるようになりました」と、トランスフォームの事業開発・マーケティング担当上級副社長フィリップ・ズクは述べています。 SuperGaNドロップイン置換品のメリット eモードデバイスをSuperGaN dモードFETに置き換えることで、より高い性能と低い動作中温度を実現することが実証されており、低い伝導損失により、より長い寿命期間の信頼性を実現しています。これは、dモードGaNノーマルオフ型のデバイスとeモードGaNノーマルオフ型のデバイスの本質的な優位性によるものです。このような検証の1つの例として、280 Wゲーム用ノートパソコンの充電器で50 mΩ eモードを72 mΩ SuperGaNテクノロジーに置き換えた最近の比較がこちらからご覧いただけます：https://bit.ly/diraztbISP 充電器の分析では、SuperGaN FETはコントローラの出力電圧範囲（一方、eモードはレベルシフトしなければなりません）で動作し、温度が低い場合でも動作します。SuperGaN抵抗温度係数(TCR)はeモードよりも約25％低く、伝導損失の低減に寄与しています。さらに、周辺部品の数が20%削減され、BOMコストが低くなったことを示しています。 業界標準のSMDポートフォリオ トランスフォームの業界標準PQFNデバイス・リストは次の通りです。 部品 オン抵抗 mΩ パッケージ TP65H070G4LSGB 72 PQFN88 TP65H150BG4JSG 150 PQFN56 TP65H150G4LSGB 150 PQFN88 TP65H300G4JSGB 240 PQFN56 TP65H300G4LSGB 240...

加利福尼亚州戈莱塔--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是一家提供高可靠性、高性能氮化镓（GaN）功率转换产品的领军企业和全球供应商。公司今天宣布推出六款表面贴装器件（SMD），采用行业标准PQFN 5x6和8x8封装。这些SMD提供Transphorm专利SuperGaN® d-mode双开关常闭式平台所带来的可靠性和性能优势，并采用为竞品e-mode GaN器件常用的封装配置。因此，这六款设备可在e-mode GaN解决方案中轻松用作第一设计源，或用作引脚对引脚兼容的插拔式替换和/或第二来源。 对于需要SuperGaN平台的额外热性能的电源系统，Transphorm另提供采用经优化Performance封装的SMD。无论何种封装，所有Transphorm器件都具有易于设计和驱动的特点，因为d-mode配置使用的是与GaN HEMT配对的低电压Silicon MOSFET。该平台配置还允许使用标准的现成品控制器和/或驱动器，进一步提升了Transphorm系列产品的卓越驱动性和可设计性。 Transphorm业务拓展和营销高级副总裁Philip Zuk表示：“Transphorm持续生产强大的GaN器件组合，覆盖了当今最广泛的功率范围。通过推出这些行业标准封装，我们进一步巩固了我们的低功率策略，而在此前，我们刚刚发布了与Weltrend半导体共同开发的SiP封装。现在客户可以选择如何利用SuperGaN的优势，不论是通过Performance封装、引脚对引脚e-mode兼容的行业标准封装还是通过系统级封装。” SuperGaN插拔式替换的优势 经证明，用SuperGaN d-mode FET替换e-mode器件能够降低传导损耗，提供更高的性能和更低的工作温度，从而实现更长的寿命可靠性。这是由于与e-mode GaN常闭式设备相比，d-mode GaN常闭式设备从根本上具有内在的优势。最近的一次直接比较便可为此提供证明，该测试用72 mΩ SuperGaN技术替换了280W游戏笔记本电脑充电器的50 mΩ e-mode设备：https://bit.ly/diraztbISP。 在充电器分析中，SuperGaN FET可以在控制器的输出电压范围内工作（而e-mode需要电平转换），且温度更低。SuperGaN的电阻温度系数（TCR）约比e-mode低 25%，有助于降低传导损耗。此外，外围元件数量减少了20%，表明原材料成本也更低。 行业标准的SMD系列产品 Transphorm的行业标准PQFN设备清单如下： 器件 导通电阻（毫欧） 封装 TP65H070G4LSGB 72 PQFN88 TP65H150BG4JSG 150 PQFN56 TP65H150G4LSGB 150...

GOLETA, Kalifornien--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN, ein Pionier und weltweiter Anbieter von extrem zuverlässigen, leistungsfähigen Stromumwandlungsprodukten auf Basis von Galliumnitrid (GaN), gab heute die Verfügbarkeit von sechs (6) oberflächenmontierbaren Bauelementen (SMDs) bekannt, die in den Industriestandard-Gehäusen PQFN 5x6 und 8x8...

GOLETA, Calif.--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)—a pioneer in and global supplier of high reliability, high performance gallium nitride (GaN) power conversion products—announced today the availability of six (6) surface mount devices (SMDs) available in Industry Standard PQFN 5x6 and 8x8...

GOLETA, Calif.--(BUSINESS WIRE)---- $TGAN #5G--Transphorm's SMDs in Industry Standard PQFN packages are higher performing multi-source options or drop-in replacements for e-mode power systems.

加利福尼亚州戈莱塔--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)--Transphorm, Inc. (纳斯达克代码：TGAN) 是一家提供高可靠性、高性能氮化镓 (GaN) 功率转换产品的领军企业和全球供应商。该公司今天宣布将在 PCIM 2023 展会上重点展示其在全功率范围市场应用中不断延伸的足迹。参展器件将展示 Transphorm 采用 GaN 功率转换解决方案支持从低到高的各个等级功率系统的能力，呈现无可比拟的可制造性、可设计性、可驱动性和可靠性。诚邀与会者在 5 月 9 日至 11 日的活动期间莅临 Transphorm 在 7 号展厅的 108 号展位。 降低 BOM 成本 WT7162RHUG24A 是最近宣布与 Weltrend 半导体公司合作研发的 SuperGaN® SiP，继在 APEC 2023 上首次亮相后，将在此展会上再次展出。它将与 Weltrend 的高效单级...