Transphorm, Inc. (TGAN) Income Statement Analysis – Financial Results

加州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布，使用来自Microchip Technology的数字信号控制器的第三款高功率氮化镓设计工具开始出货。TDINV3000W050B-KIT是一款3.0千瓦直流转交流非隔离全桥逆变器评估板。这款产品是Transphorm的TP65H050G4WS SuperGaN® FET与Microchip的dsPIC33CK数字信号控制器(DSC)板的强强联手之作，其中包含了预编程固件，可以方便地根据终端应用需求进行定制。新评估板的采用可突显Transphorm氮化镓产品的卓越性能，并使人们了解氮化镓如何用于广泛的工业和可再生能源电力系统。 与之前的两款SuperGaN/Microchip DSC评估板（4千瓦TDTTP4000W066C-KIT和2.5千瓦TDTTP2500B066B-KIT）一样，这款单相3.0千瓦逆变器板也可以享受由Microchip全球技术支持团队提供的固件开发协助。 Microchip旗下MCU16事业部副总裁Joe Thomsen表示：“我们的dsPIC®数字信号控制器和固件定制专长与Transphorm的氮化镓技术相辅相成，能在简化设计的同时帮助加速开发进程。我们很自豪能与Transphorm合作，打造灵活、高效的电源转换产品，助力广泛的可持续发展应用。” Transphorm业务发展和营销高级副总裁Philip Zuk表示：“电动汽车充电器、UPS和太阳能逆变器等高压电源系统正迅速成为氮化镓应用的快速增长市场。Transphorm的氮化镓平台便针对此类应用开发。与Microchip在固件方面的合作使我们能够以高效的方式为各种重要的、可持续的客户电力系统项目提供支持。新产品能消除固件编程可能遇到的潜在限制，简化开发工作，并加快产品上市时间。双方的合作能够帮助可再生能源和其他行业轻松利用我们的氮化镓产品所具有的全部优势。” 技术规格 TDINV3000W050B-KIT的技术特点： TP65H050G4WS：650 V 50 mΩ SuperGaN FET，TO-247封装 功率效率：~99% 输入电压：0 VDC至400 VDC 输出电压：VDC / √2VRMS，50/60Hz（可编程） 输出功率：高达3000W 辅助电源电压：12 VCC 这款评估板围绕Microchip的dsPIC33CK数字电源插入式模块(PIM)而设计，用于控制PFC动力系统，具有以下预编程PIM功能： Microchip获得AEC-Q100认证的dsPIC33CK256MP506数字信号控制器 100 MHz dsPIC® DSC内核，集成DSP和增强型片上外设 双闪存面板 –...

米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニアで世界的サプライヤーのトランスフォーム（Nasdaq：TGAN）は本日、マイクロチップ・テクノロジーのデジタル信号コントローラーを用いた3つ目の高出力GaN設計ツールの提供を開始したと発表しました。TDINV3000W050B-KITは、3.0kWのDC-AC非絶縁フルブリッジインバーターの評価ボードです。トランスフォーム製TP65H050G4WS SuperGaN® FETにマイクロチップ製dsPIC33CKデジタル信号コントローラー（DSC）ボードを組み合わせたもので、エンドアプリケーションの要件に応じて簡単にカスタマイズできる事前プログラム済みファームウエアを備えています。この新しいボードを使用することで、GaN分野におけるトランスフォームの優れた実績が明瞭となり、幅広い産業用および再生可能エネルギー用の電源システムにおけるGaNの使用法を理解することができます。 これまでの2つのSuperGaN/Microchip DSC評価ボード（4kW TDTTP4000W066C-KITおよび2.5kW TDTTP2500B066B-KIT）と同様に、この単相3.0kWインバーターボードでも、マイクロチップの世界中の技術サポートチームからファームウエア開発支援を受けることができます。 マイクロチップのMCU16事業部門バイスプレジデントのジョー・トムセン氏は、次のように述べています。「当社のdsPIC®デジタル信号コントローラーとファームウエアカスタマイズの専門性は、トランスフォームのGaN技術を補完し、設計を簡素化しながら開発を加速化させることに貢献します。トランスフォームとの協力により、種々の持続可能なアプリケーションに対応するための柔軟で高効率の電力変換を実現できることを誇りに思います。」 トランスフォームの事業開発・マーケティング担当シニアバイスプレジデントのフィリップ・ズークは、次のように述べています。「EV充電器、UPS、太陽光発電用インバーターなどの高電圧電源システムは、急速にGaN製品にとっての急成長市場となっています。トランスフォームのGaNプラットフォームは、このようなアプリケーションを想定して開発したものです。ファームウエア面でマイクロチップと協力することで、当社は顧客の重要かつ持続可能な電力システムプロジェクトを非常に効率的に支援できます。ファームウエアのプログラミングで生じ得る制限を取り除くことで、開発を簡素化し、市場投入期間を短縮できるのです。この協業によって、再生可能エネルギーやその他の産業が当社のGaN製品から得られる利点のすべてを容易に活用できるようになります。」 技術仕様 TDINV3000W050B-KITには、次の特徴があります。 TP65H050G4WS： 650V 50mΩ SuperGaN FETをTO-247パッケージに収容 電力効率：約99% 入力電圧：0VDC～400VDC 出力電圧：50/60HzでVDC / √2 VRMS（プログラム可能） 出力電力：最大3000W 補助供給電圧：12VCC このボードは、PFCパワートレイン制御用のマイクロチップ製dsPIC33CKデジタル電源プラグインモジュール（PIM）を中心に設計されており、次の事前プログラム済みPIM機能を備えています。 マイクロチップのAEC-Q100準拠dsPIC33CK256MP506デジタル信号コントローラー 統合型DSPと強化型オンチップ周辺デバイスを搭載した100MHz dsPIC® DSCコア デュアル・フラッシュ・パネルにより、電力供給しながらコードのライブアップデートが可能 BOMコストの削減とシステムサイズの最小化を実現する高度なアナログ統合 独立したPWM 8組（解像度250ps） dsPIC33CK PIMのファームウエアのアップデートは、マイクロチップのウェブサイトからダウンロードできます。 マイクロチップのdsPIC® DSCは、専門知識が限られている開発者も含めて、開発者に力をもたらすために作られた組み込み設計ツールセットによってサポートされています。これらのツールは、マイクロチップの無償のMPLAB®...

GOLETA, Kalifornien, USA--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) – ein Pionierunternehmen und weltweiter Anbieter von extrem zuverlässigen, leistungsstarken Galliumnitrid (GaN)-Energieumwandlungslösungen – hat heute die Verfügbarkeit seines dritten Designtools für Hochleistungs-GaN bekannt gegeben, das einen digitalen Signalcontroller von Microchip Technology verwendet. Das...

Evaluation Board with SuperGaN® FET and dsPIC® DSC Simplifies and Quickens Development of High Voltage Power Systems GOLETA, Calif.–(BUSINESS WIRE)–$TGAN #5G—Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)—a pioneer in and global supplier of high reliability, high performance gallium nitride (GaN) power conversion products—today...

GOLETA, Calif.--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)—a pioneer in and global supplier of high reliability, high performance gallium nitride (GaN) power conversion products—today announced availability of its third high-power GaN design tool using a digital signal controller from Microchip Technology. The...

GOLETA, Calif.--(BUSINESS WIRE)---- $TGAN #5G--Transphorm's third evaluation board using Microchip's digital signal controller supports high-power Broad Industrial and Renewables systems.

加州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)是高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商。該公司今天宣布，作為2023年應用電力電子會議(APEC 2023)的銀牌合作夥伴，將在大會上展示多種產品和解決方案，以彰顯公司在廣譜（低功率到高功率）GaN電源轉換方面的持續領導地位。歡迎與會者在3月19日至23日大會期間參觀853號Transphorm攤位。 今年，Transphorm將展示最近發布的WT7162RHUG24A元件。該元件採用Transphorm與偉詮電子(Weltrend Semiconductor)合作開發的新型SuperGaN®系統級封裝(SiP)，旨在完善其全面、靈活的場效應電晶體(FET)產品組合。該元件將為客戶創造新機會，讓客戶能夠在Transphorm的高性能GaN平臺上輕鬆、快速地進行設計，同時減少物料清單(BOM)元件數量和總體系統成本。 Transphorm還將展示來自不同市場的全球頂尖品牌客戶的新型生產中產品。APEC與會者還將瞭解到現有GaN電源應用的嵌入式和替換式解決方案。最後，公司將以抽獎方式贈送出一款消費產品。在Transphorm的GaN技術的加持下，該產品具有顛覆式的性能。 單核心平臺，涵蓋全部電源功率範圍 Transphorm是一家領先的GaN功率半導體公司，憑藉以下技術特性而擁有競爭優勢： 可製造性：垂直一體化，擁有EPI設計、晶圓製造製程和FET晶片設計能力。 可設計性：提供廣泛採用的產業標準封裝和性能封裝，同時與全球知名的韌體領導者（微芯科技(Microchip Technology)）和硬體整合領導者（偉詮電子）合作，簡化了設計。 可驅動性：旗下元件的驅動方式與矽元件相同，可與現成的控制器和驅動器搭配使用，同時僅需少量外部電路。 可靠性：在覆蓋低功率到高功率的所有應用中，經超過1000億小時的現場運作後，當前的失效率(FIT) < 0.05，處於產業領先地位。 Transphorm現支援範圍極廣的電源轉換要求（45 W至10+ kW），涵蓋極為廣泛的電源應用。公司的FET產品組合包括650 V和900 V元件，以及正在開發的1200 V元器件。這些元件均通過JEDEC和AEC-Q101認證，是適用於電源配接器、電腦電源設備(PSU)、廣泛的工業不斷電供應系統(UPS)和電動汽車行動系統等的一流解決方案。這些將在APEC會議上展示的客戶產品組合彰顯出Transphorm的SuperGaN平臺具有廣泛的實用性。 贈品：「小而強」的65WHP USB-C筆記型電腦充電器 Transphorm攤位參觀者將有機會贏得一個「小而強」的GaN HP USB-C PD/PPS電源配接器。該配接器配備了兩個連接埠，可同時進行快速充電。惠普筆記型電腦充電器使用了Transphorm的SuperGaN第四代TP65H300G4LSG——650V GaN FET。 演講活動 Transphorm專家將發表以下演講： 用於電動車應用的650 V和1200 V高功率GaN元件 產業專題會議(IS03)，3月21日上午8:30 演講貴賓：技術長辦公室技術小組成員Davide Bisi...

加州戈利塔--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)是高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商。该公司今天宣布，作为2023年应用电力电子会议(APEC 2023)的银牌合作伙伴，将在大会上展示多种产品和解决方案，以彰显公司在广谱（低功率到高功率）GaN电源转换方面的持续领导地位。欢迎与会者在3月19日至23日大会期间参观853号Transphorm展位。 今年，Transphorm将展示最近发布的WT7162RHUG24A器件。该器件采用Transphorm与伟诠电子(Weltrend Semiconductor)合作开发的新型SuperGaN®系统级封装(SiP)，旨在完善其全面、灵活的场效应晶体管(FET)产品组合。该器件将为客户创造新机会，让客户能够在Transphorm的高性能GaN平台上轻松、快速地进行设计，同时减少物料清单(BOM)元件数量和总体系统成本。 Transphorm还将展示来自不同市场的全球顶级品牌客户的新型在产产品。APEC与会者还将了解到现有GaN电源应用的嵌入式和替换式解决方案。最后，公司将以抽奖方式赠送出一款消费产品。在Transphorm的GaN技术的加持下，该产品具有颠覆式的性能。 单核心平台，涵盖全部电源功率范围 Transphorm是一家领先的GaN功率半导体公司，凭借以下技术特性而拥有竞争优势： 可制造性：垂直一体化，拥有EPI设计、晶圆制造工艺和FET芯片设计能力。 可设计性：提供广泛采用的行业标准封装和性能封装，同时与全球知名的固件领导者（微芯科技(Microchip Technology)）和硬件集成领导者（伟诠电子）合作，简化了设计。 可驱动性：旗下器件的驱动方式与硅器件相同，可与现成的控制器和驱动器搭配使用，同时仅需少量外部电路。 可靠性：在覆盖低功率到高功率的所有应用中，经超过1000亿小时的现场运行后，当前的失效率(FIT) < 0.05，处于行业领先地位。 Transphorm现支持范围极广的电源转换要求（45 W至10+ kW），涵盖极为广泛的电源应用。公司的FET产品组合包括650 V和900 V器件，以及正在开发的1200 V器件。这些器件均通过JEDEC和AEC-Q101认证，是适用于电源适配器、计算机电源设备(PSU)、广泛的工业不间断电源(UPS)和电动汽车移动系统等的一流解决方案。这些将在APEC会议上展示的客户产品组合彰显出Transphorm的SuperGaN平台具有广泛的实用性。 赠品：“小而强”的65W惠普USB-C笔记本充电器 Transphorm展位参观者将有机会赢得一个“小而强”的基于GaN的惠普USB-C PD/PPS电源适配器。该适配器配备了两个端口，可同时进行快速充电。惠普笔记本电脑充电器使用了Transphorm的SuperGaN第四代TP65H300G4LSG——650V GaN FET。 演讲活动 Transphorm专家将发表以下演讲： 面向电动车应用的650 V和1200 V高功率GaN器件 行业专题会议(IS03)，3月21日上午8:30 演讲嘉宾：首席技术官办公室技术组成员Davide Bisi 900 V GaN...

米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニアで世界的サプライヤーのトランスフォーム（Nasdaq：TGAN）は、2023年アプライド・パワー・エレクトロニクス・カンファレンス（APEC）にシルバー・パートナーとして出展し、その展示で広範囲（低電力から高電力）GaN電力変換における当社の継続的な先導的役割を明確に示すことになると発表しました。参加者はぜひ、3月19日～23日の同展中にトランスフォームの853番ブースまでお越しください。 トランスフォームは今年、先日発表したWT7162RHUG24Aデバイスを展示します。このデバイスは、すでに包括的で柔軟性のある当社のFETのポートフォリオを完全なものにするために、ウェルトレンド・セミコンダクターと開発した新しいSuperGaN®システムインパッケージ（SiP）です。このデバイスにより、お客さまは必要な部品点数とシステム全体の費用を削減しながら、トランスフォームの高性能GaNプラットフォームによって簡単かつ迅速に設計する機会をまた1つ増やすことになります。 トランスフォームはまた、さまざまな市場を代表する世界一流ブランドの顧客から受注した生産中の新製品も展示します。APEC参加者は、既存のGaNパワーアプリケーションの容易な交換／代替ソリューションについて知ることもできます。トランスフォームはさらに、そのGaN技術を活用して市場を一変させる性能を実現した消費者向け製品も抽選で無料配布します。 1つのコアプラットフォームで広い電力範囲をカバー トランスフォームはGaNパワー半導体の一流企業であり、次の技術的特長によって他とは一線を画しています。 製造性：EPI設計、ウエハープロセス、FETダイ設計を自社で行う垂直統合型。 設計性：ファームウエア（マイクロチップ・テクノロジー）やハードウエア統合（ウェルトレンド・セミコンダクター）で有名な世界的リーダー企業と提携しながら、知名度の高い業界標準のパッケージや高性能パッケージを提供し、容易なデザインインを実現。 駆動性：提供するデバイスはシリコン並みの駆動が可能で、外付け回路を最小限に抑えながら、既製品のコントローラーやドライバーと組み合わせ可能。 信頼性：低電力から高電力のアプリケーションにおいて、1000億時間以上の実稼働で0.05未満の時間当たり故障率（FIT）を現時点で達成し、業界のけん引役を維持。 トランスフォームは今日、最も幅広い種類の電力アプリケーションにおいて、最も広範囲の電力変換要件（45Wから10kW超）をサポートしています。当社のFETポートフォリオには650Vと900Vのデバイスが含まれており、1200V（複数）のデバイスも開発中です。これらのデバイスはJEDECとAEC-Q101に準拠しており、電源アダプターやコンピューター用PSUから、幅広い産業用UPSや電気自動車モビリティーシステムまでにとって、最適なソリューションとなっています。APECで展示する複数の組み合わせの顧客製品は、トランスフォームのSuperGaNプラットフォームの有用性の高さを浮き彫りにしています。 贈呈品の配布：「パワフルさを維持しながら小型」の65Wヒューレット・パッカード製ラップトップパソコン用USB-C充電器 ブース来場者には、同時急速充電が可能な2つのポートを搭載した「小さいながらもパワフル」なGaNベースのHP USB-C PD／PPS電源アダプター贈呈の機会をご用意します。このHP製ラップトップパソコン用充電器には、トランスフォームの650V GaN FETであるSuperGaN Gen IV TP65H300G4LSGが採用されています。 講演予定 トランスフォームの専門家が、次の講演を行います。 「EVアプリケーション用高出力650V／1200V GaNデバイス」 産業セッション（IS03）、3月21日午前8時30分 講演者：Davide Bisi、最高技術責任者（CTO）室技術スタッフ 「900V GaN - 信頼性のための設計」 産業セッション（IS12）、3月22日午前9時20分 講演者：Dr. Likun Shen、エンジニアリング担当バイスプレジデント 面談をご希望の方へ 同展での面談の予約については、[email protected]までお問い合わせください。 トランスフォームについて...

カリフォルニア州ゴリータ & 台湾・新竹--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニアで世界的サプライヤーのトランスフォーム（Nasdaq：TGAN）と、USB Power Delivery（PD）対応アダプターコントローラー集積回路（IC）の世界的リーダー企業であるウェルトレンド・セミコンダクター（TWSE：2436）は本日、初のGaNシステムインパッケージ（SiP）をリリースしたと発表しました。 WT7162RHUG24Aは、スマートフォン、タブレット、ノートパソコン、その他のスマートデバイスを充電する45～100ワットのUSB-C PD電源アダプターでの使用向けに設計された集積回路であり、93%以上のピーク電力効率を実現します。デバイスのサンプルは、2023年第2四半期に提供可能となる予定です。 今回の発表は、新製品の市場投入に加え、ウェルトレンドのもう1つの大きな実績を示すものとなります。この新しいGaN SiPは、トランスフォームのSuperGaN®技術を使用した完全なシステムソリューションを提供することで、AC-DC電源市場に対するウェルトレンドのコミットメントを表明するものです。トランスフォームにとっても、当社製GaNデバイスの扱いやすいインターフェースと優れた性能を証明するための重要な事例がまた増えました。 トランスフォームは、2023年アプライド・パワー・エレクトロニクス・カンファレンス（APEC）の853番ブースで、ウェルトレンド 製SiPを初めて展示します。また両社は、関連する65W USB PD電源アダプター評価ボードであるWTDB_008の詳細もイベント期間中に公開する予定です。 ウェルトレンドのトニー・リン社長は、次のように述べています。「WT7162RHUG24Aは、トランスフォーム製GaNを使用したSiPとして業界で初めて公表されました。これにより、必要な部品点数が削減され、より小型のプリント基板を使用できるなどの利点があることから、メーカーはより安価なシステムソリューションを開発することができます。また、システム開発期間も短縮されます。私たちは、アダプターメーカーにとっての設計上の障壁を効果的に取り除こうとしているのです。また、この製品により、ウェルトレンドは新たな市場へ進出することができます。本製品は、当社のPWMコントローラーにとって初のSiPであり、大量生産の成長分野をサポートするという当社のコミットメントを実証するものです。また、GaN FETの搭載により、結果としての性能のレベルアップを実現しています。これは、ウェルトレンド、トランスフォーム、そして私たち共通のお客さまにとっての勝利なのです。」 トランスフォームの社長兼最高執行責任者（COO）であるプリミット・パリクは、次のように述べています。「今日、急速充電用アダプター市場はGaN採用にとっての急成長分野です。私たちは市場シェアを拡大しており、直近では今回のGaN SiPのように、当社のGaNデバイスをより使いやすくするための革新を続けています。私たちは、業界をリードする当社のSuperGaNプラットフォームと、ウェルトレンドの革新的なアダプターパワーコントローラー技術を統合できることを大変うれしく思います。ウェルトレンドは、有力な電力変換プラットフォームを実現しましたが、これはアダプターや急速充電器の顧客にとって簡単に使用できるソリューションを生み出すものであり、両社はこれを市場での勝利を加速させるために使用できるのです。」 WT7162RHUG24Aの仕様と機能 この新しいSiPは、ウェルトレンドのWT7162RHSG08マルチモード・フライバックPWMコントローラーとトランスフォームの240ミリオーム、650ボルトのSuperGaN® FETを統合しています。この表面実装デバイスは、24ピン8x8 QFNパッケージで提供され、プリント基板サイズを縮小しています。その他の主な仕様は次の通りです。 ピーク電力効率: > 93％ 電力密度: 26 W/in3 幅広い出力電圧で動作: USB-C PD 3.0およびPPS 3.3V〜21V 最大周波数：180kHz ターゲット・トポロジー：QRモード／バレースイッチングマルチモードによるフライバック動作 注目すべき機能は次の通りです。 特性 利点...